Toshiba Memory Europe TME šodien paziņoja par XL-FLASH™ – jaunu atmiņas klases SCM risinājumu. Pamatojoties uz TME patentēto, inovatīvo 1 bits uz šūnu SLC BiCS FLASH™ 3D zibatmiņas tehnoloģiju, tā nodrošina datu centriem un uzņēmumu datu glabāšanas vidēm nepieciešamo zemo latentumu un augsto veiktspēju.
XL-FLASH uzglabāšanas klases atmiņa jeb neilatārā atmiņa spēj uzglabāt saturu, kas līdzinās NAND flash atmiņai, un pārvarēt veiktspējas plaisu starp DRAM un NAND tipa atmiņām. Gaistošā atmiņa, tostarp DRAM, nodrošina datu piekļuves ātrumu, kas nepieciešams prasīgām lietojumprogrammām, taču šāda veiktspēja ir dārga. Kad DRAM izmaksas par vienu bitu kļūst pārāk augstas un mērogojamība nav iespējama, uzglabāšanas hierarhijas slānis SCM risina šo problēmu, piedāvājot rentablu, augsta blīvuma neilatīvās NAND flash atmiņas risinājumu. Analītiskā firma IDC prognozē, ka SCM tirgus 2023. gadā paplašināsies līdz vairāk nekā 3 miljardiem ASV dolāru[1].
XL-FLASH, kas atrodas starp DRAM un NAND flash, piedāvā lielāku ātrumu, mazāku latentumu un lielāku atmiņas ietilpību par zemāku cenu nekā tradicionālā DRAM. Sākotnēji XL-FLASH būs pieejams SSD formātā, bet vēlāk to var tirgot DRAM kanālam pieslēgtu ierīču veidā, piemēram, kā neilatīvās divrindu atmiņas moduļus NVDIMM , kas nākotnē kļūs par nozares standartu.
Galvenās funkcijas:
– 128 gigabitu GB kristāls 2, 4 vai 8 kristālu modulis ;
– 4K lappuses lielums, lai uzlabotu operētājsistēmas lasīšanas un rakstīšanas efektivitāti;
– 16 ligzdu arhitektūra efektīvākai paralēlai darbībai;
– Mazs lapu nolasīšanas un programmēšanas laiks: XL-FLASH atmiņai ir zema nolasīšanas aizture – mazāk nekā 5 mikrosekundes, kas ir aptuveni 10x ātrāka nekā esošajām TLC atmiņām.
Toshiba Memory ir NAND flash radītājs, pirmais uzņēmums, kas ieviesa 3D flash tehnoloģiju, un līderis procesu izmaiņu jomā, tāpēc tā ir ideāli piemērota, lai laistu tirgū SCM ierīces, kas balstītas uz SLC atmiņu, pateicoties savai nobriedušajai ražošanas infrastruktūrai, pierādītajai mērogojamībai un SLC atmiņas ražošanas drošībai.
“XL-FLASH ir visjaudīgākais šobrīd pieejamais NAND risinājums, pateicoties mūsu BiCS FLASH zibatmiņas atmiņai, kas darbojas SLC režīmā,” teica Axel Stoermann, Toshiba Memory Europe viceprezidents. – Ievietojot šūnā tikai vienu bitu, mums ir izdevies ievērojami uzlabot veiktspēju. Tā kā XL-FLASH atmiņas pamatā ir pārbaudītas tehnoloģijas, kas jau tiek ražotas sērijveidā, mūsu klienti, izmantojot XL-FLASH kā datu glabāšanas klases atmiņas risinājumu, varēs saīsināt laiku, kas nepieciešams, lai to ieviestu tirgū.
Izmēģinājuma paraugu piegādes sāksies 2023. gada septembrī., un masveida ražošanu plānots sākt 2023. gadā.
Vai Toshiba Memory XL-FLASH ir pieejams šobrīd tirgū vai tas ir tikai plānots ieviest nākotnē? Kādas ir šīs jaunās atmiņas klases galvenās īpašības un potenciālais izmantojums elektronikas ierīcēs?